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《模拟电子技术基础》各章习题
第一章 常用半导体器件
自 测 题
一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（ ）
（2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ）
（3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ）
（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（ ）
（5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。（ ）
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第2章 基本放大电路
自 测 题
一、判断下列说法是否正确，凡对的在括号内打“√”，否则打“×”。
（1）现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应为10000。( )
（2）阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立，( )它只能放大交流信号。( )
（3）直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响，( )它只能放大直流信号。( )
（4）只有直接耦合放大电路中晶休管的参数才随温度而变化。( )
（5）互补输出级应采用共集或共漏接法。( )
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第三章 负反馈放大电路
第四章 直接耦合放大电路
第五章 集成运算放大器及应用
第六章 正弦波振荡电路
第七章 直流稳压电源